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數(shù)據(jù): CSD18563Q5A 60V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表 (Rev. C)
這款采用5mm×6mm SON封裝的5.7mΩ,60V NexFET?功率MOSFET用于與CSD18537NQ5A控制FET配對并充當完整工業(yè)降壓轉(zhuǎn)換器芯片組解決方案的同步FET。
所有商標均為其各自所有者的財產(chǎn)。
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| ? |
| CSD18563Q5A |
|---|
| 60 ? ? |
| Single ? ? |
| 10.8 ? ? |
| 6.8 ? ? |
| 251 ? ? |
| 15 ? ? |
| 2.9 ? ? |
| SON5x6 ? ? |
| 20 ? ? |
| 2 ? ? |
| 93 ? ? |
| 100 ? ? |
| Yes ? ? |
型號:CSD18563Q5AT 封裝:VSONP8
品牌:TI 描述:N溝道 漏源電壓(Vdss):60V 連續(xù)漏極電流(Id):100A 功率(Pd):3.2W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,18A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.4V@250μA
金額:¥6.95184
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