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CSD18563Q5A 60-V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD18563Q5A

數(shù)據(jù):

描述

這款采用5mm×6mm SON封裝的5.7mΩ,60V NexFET?功率MOSFET用于與CSD18537NQ5A控制FET配對并充當完整工業(yè)降壓轉(zhuǎn)換器芯片組解決方案的同步FET。

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 采用軟體二極管以降低振鈴效應
  • 低熱阻
  • 雪崩額定值
  • 邏輯電平
  • 無引引腳鍍層
  • li>
  • 符合RoHS標準
  • 無鹵素
  • 小外形尺寸無引線(SON)5mm x 6mm塑料封裝

所有商標均為其各自所有者的財產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD18563Q5A
60 ? ?
Single ? ?
10.8 ? ?
6.8 ? ?
251 ? ?
15 ? ?
2.9 ? ?
SON5x6 ? ?
20 ? ?
2 ? ?
93 ? ?
100 ? ?
Yes ? ?

技術文檔

數(shù)據(jù)手冊(1)
元器件購買 CSD18563Q5A 相關庫存
  • MOSFETs

    型號:CSD18563Q5AT 封裝:VSONP8

    品牌:TI 描述:N溝道 漏源電壓(Vdss):60V 連續(xù)漏極電流(Id):100A 功率(Pd):3.2W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,18A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.4V@250μA

    金額:¥6.95184

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