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數(shù)據(jù): CSD19534KCS 100V N 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表
這款100V,13.7mΩ,TO-220 NexFET功率MOSFET被設(shè)計(jì)成功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低損耗。
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所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| ? |
| CSD19534KCS |
|---|
| 100 ? ? |
| Single ? ? |
| 16.5 ? ? |
| 138 ? ? |
| 16.4 ? ? |
| 3.3 ? ? |
| TO-220 ? ? |
| 20 ? ? |
| 2.8 ? ? |
| 54 ? ? |
| 100 ? ? |
| No ? ? |