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CSD19534Q5A 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19534Q5A

數(shù)據(jù):

描述

這款100V,12.6mΩ,SON 5mm x 6mm NexFET功率MOSFET被設計成功轉換應用中最大限度地降低損耗。

頂視圖

要了解所有可用封裝,請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄.R θJA = 40°C /W,這是在一個厚度0.06英寸環(huán)氧樹脂(FR4)印刷電路板(PCB)上的1英寸 2 ,2盎司的銅過渡墊片上測得的典型值。最大R θJC = 2.0°C /W,脈沖持續(xù)時間≤100μs,占空比≤1%

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低熱阻
  • 雪崩額定值
  • 無鉛端子鍍層
  • 符合RoHS環(huán)保標準
  • 無鹵素
  • 小外形尺寸無引線(SON)5mm x 6mm塑料封裝

應用范圍

  • 初級側電信應用
  • 電機控制
  • li>

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD19534Q5A CSD19531Q5A CSD19532Q5B CSD19533Q5A CSD19537Q3
100 ? ? 100 ? ? 100 ? ? 100 ? ? 100 ? ?
Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ? ?
15.1 ? ? 6.4 ? ? 4.9 ? ? 9.5 ? ? 14.5 ? ?
137 ? ? 337 ? ? 400 ? ? 231 ? ? 219 ? ?
17 ? ? 37 ? ? 48 ? ? 27 ? ? 16 ? ?
3.2 ? ? 6.6 ? ? 8.7 ? ? 4.9 ? ? 2.9 ? ?
SON5x6 ? ? SON5x6 ? ? SON5x6 ? ? SON5x6 ? ? SON3x3 ? ?
20 ? ? 20 ? ? 20 ? ? 20 ? ? 20 ? ?
2.8 ? ? 2.7 ? ? 2.6 ? ? 2.8 ? ? 3 ? ?
44 ? ? 110 ? ? 140 ? ? 75 ? ? 53 ? ?
40 ? ? 100 ? ? 100 ? ? 100 ? ? 50 ? ?
No ? ? No ? ? No ? ? No ? ? No ? ?

技術文檔

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