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      CSD85301Q2 CSD85301Q2，雙路 N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      CSD85301Q2是一款20V，23mΩN通道器件，它具有兩個(gè)獨(dú)立的MOSFET，并且采用SON 2mm x 2mm塑料封裝。這兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管（FET）采用半橋配置，適用于同步降壓等電源應(yīng)用。此外，該部件還可用于適配器，USB輸入保護(hù)和電池充電應(yīng)用。兩個(gè)FET的漏源導(dǎo)通電阻均較低，可最大程度降低損耗并減少元件數(shù)，非常適合空間受限型應(yīng)用。

      特性

      • 低導(dǎo)通電阻
      • 兩個(gè)獨(dú)立的MOSFET
      • 節(jié)省空間的小外形尺寸無引線（SON）2mm×2mm塑料封裝
      • 針對(duì)5V柵極驅(qū)動(dòng)器而優(yōu)化
      • 雪崩級(jí)
      • 無帶且無鹵素
        • < li>符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)

      應(yīng)用范圍

      • 用于網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)，電信和計(jì)算系統(tǒng)的負(fù)載點(diǎn)同步降壓轉(zhuǎn)換器
      • 針對(duì)筆記本個(gè)人電腦（PC）和平板電腦的適配器或USB輸入保護(hù)
      • 電池保護(hù)

      所有商標(biāo)均為其各自的商標(biāo)。擁有者。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD85301Q2 CSD87502Q2
      20 ? ? 30 ? ?
      Dual ? ? Dual ? ?
      27 ? ? 42 ? ?
      ? 32.4 ? ?
      26 ? ? 23 ? ?
      4.2 ? ? 2.2 ? ?
      1 ? ? 0.5 ? ?
      SON2x2 ? ? SON2x2 ? ?
      33 ? ? ?
      10 ? ? 20 ? ?
      0.9 ? ? 1.6 ? ?
      5 ? ? 5 ? ?
      Yes ? ? Yes ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
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