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      CSD19538Q2 CSD19538Q2

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款100V，49mΩ，采用2mm×2mm SON封裝的NexFET?功率MOSFET被設(shè)計(jì)成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中大大降低損耗。

      特性

      • 超低Q g 和Q gd
      • 低熱阻
      • 雪崩額定值
      • 無(wú)鉛
      • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
      • 無(wú)鹵素
      • 小外形尺寸無(wú)引線（SON）2mm x 2mm塑料封裝

      所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD19538Q2 CSD19537Q3 CSD19538Q3A
      100 ? ? 100 ? ? 100 ? ?
      Single ? ? ? Single ? ?
      59 ? ? 14.5 ? ? 61 ? ?
      34.4 ? ? 219 ? ? 36 ? ?
      4.3 ? ? 16 ? ? 4.3 ? ?
      0.8 ? ? 2.9 ? ? 0.8 ? ?
      SON2x2 ? ? SON3x3 ? ? SON3x3 ? ?
      20 ? ? 20 ? ? 20 ? ?
      3.2 ? ? 3 ? ? 3.2 ? ?
      13.1 ? ? 53 ? ? 13.7 ? ?
      14.4 ? ? 50 ? ? 15 ? ?
      No ? ? No ? ? No ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
      元器件購(gòu)買 CSD19538Q2 相關(guān)庫(kù)存

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