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      CSD17579Q5A CSD17579Q5A 30V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款30V，8.4mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET功率MOSFET被設(shè)計成功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。

      特性

      • 低Q g 和Q gd
      • 低R DS（上）
      • 低熱阻
      • 雪崩額定值
      • 無引引腳鍍層
      • 符合RoHS環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)
      • 無鹵素
      • 小外形尺寸無引線（SON）5mm x 6mm塑料封裝

      應(yīng)用范圍

      < ul>
    • 用于網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)，電信和計算系統(tǒng)的負(fù)載點同步降壓轉(zhuǎn)換器
    • 針對控制場效應(yīng)應(yīng)晶體管（FET）應(yīng)用進行了優(yōu)化
      • < p> 所有商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD17579Q5A
      30 ? ?
      Single ? ?
      13.3 ? ?
      9.7 ? ?
      105 ? ?
      5.4 ? ?
      1.2 ? ?
      SON5x6 ? ?
      20 ? ?
      1.5 ? ?
      46 ? ?
      25 ? ?
      Yes ? ?

      技術(shù)文檔

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