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      CSD23381F4 12-V, P-Channel NexFET? Power MOSFET, CSD23381F4

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款150mΩ，12V P通道FemtoFET金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)應(yīng)晶體管（MOSFET）已被設(shè)計(jì)且優(yōu)化，以最大限度地減少多種手持式和移動(dòng)類應(yīng)用中的封裝尺寸。此技術(shù)能夠在將封裝尺寸至少減少60％的同時(shí)替代標(biāo)準(zhǔn)的小信號(hào)MOSFET。

      特性

      • 超低導(dǎo)通電阻
      • 超低Q g 和Q gd
      • 高運(yùn)行漏極電流
      • 超小封裝尺寸（0402外殼尺寸）
        • 1.0mm×0.6mm
      • 超薄
        • 最大高度0.35mm
      • 集成型靜電放電（ESD）保護(hù)二極管
        • 額定值＆gt; 4kV人體放電模式（HBM）
        • 額定值＆gt;
        • 符合RoHS環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)
        范圍
        • 針對(duì)負(fù)載開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
        • 針對(duì)通用開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
        • 電池類應(yīng)用
        • 手持式和移動(dòng)類應(yīng)用

        所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      VGS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
      Id Peak (Max) (A)
      Id Max Cont (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      QGS Typ (nC)
      VGSTH Typ (V)
      Package (mm)
      CSD23381F4
      -12 ? ?
      -8 ? ?
      Single ? ?
      175 ? ?
      300 ? ?
      970 ? ?
      -9 ? ?
      -2.3 ? ?
      1.14 ? ?
      0.19 ? ?
      0.3 ? ?
      -0.95 ? ?
      LGA 0.6x1.0 ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
      元器件購(gòu)買 CSD23381F4 相關(guān)庫(kù)存

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