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CSD25304W1015 CSD25304W1015 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET

數(shù)據(jù):

描述

這款27mΩ,20V P通道器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的1.0mm×1.5mm小外形封裝內(nèi)提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。

頂視圖要了解所有可用封裝,請(qǐng)見(jiàn)數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。器件在105oC溫度下運(yùn)行R θJA典型值= 165 °C /W,脈寬≤100μs,占空比≤1%

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 小封裝尺寸
  • 低高度(高度為0.62mm)
  • 無(wú)鉛
  • 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
  • 無(wú)鹵素
  • 芯片級(jí)封裝(CSP)1 x 1.5mm晶圓級(jí)封裝

應(yīng)用范圍

  • 電池管理
  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)
  • 電池保護(hù)

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)
CSD25304W1015
-20 ? ?
-8 ? ?
Single ? ?
32.5 ? ?
45.5 ? ?
92 ? ?
-41 ? ?
-3 ? ?
3.3 ? ?
0.5 ? ?
0.7 ? ?
-0.8 ? ?
WLP 1.0x1.5 ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1)
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