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      CSD25483F4 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD25483F4

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款210mΩ，20V P通道FemtoFET MOSFET被設(shè)計且被優(yōu)化，以最大限度地減少多種手持式和移動類應(yīng)用中的封裝尺寸。這個技術(shù)能夠在將封裝尺寸至少減少60％的同時，替代標(biāo)準(zhǔn)的小信號MOSFET。

      特性

      • 超低導(dǎo)通電阻
      • 超低Q g 和Q gd
      • 高運(yùn)行漏極電流
      • 超小封裝尺寸（0402外殼尺寸）
        • 1.0mm×0.6mm
      • 超薄
        • 最大高度0.35mm
      • 集成型靜電放電（ESD）保護(hù)二極管
        • 額定值＆gt; 4kV人體模型（HBM）
        • 額定值＆gt;
        • 符合RoHS環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)
          • 范圍
          • 針對負(fù)載開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
          • 針對通用開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
          • 電池類應(yīng)用
          • 手持式和移動類應(yīng)用

          所有商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      VGS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
      Id Peak (Max) (A)
      Id Max Cont (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      QGS Typ (nC)
      VGSTH Typ (V)
      Package (mm)
      CSD25483F4 CSD25480F3 CSD25481F4 CSD25484F4
      -20 ? ? -20 ? ? -20 ? ? -20 ? ?
      -12 ? ? -12 ? ? -12 ? ? -12 ? ?
      Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ?
      245 ? ? 159 ? ? 105 ? ? 109 ? ?
      390 ? ? 260 ? ? 175 ? ? 180 ? ?
      1070 ? ? 840 ? ? 800 ? ? 825 ? ?
      -6.5 ? ? -10.4 ? ? -10 ? ? -22 ? ?
      -1.6 ? ? -1.7 ? ? -2.5 ? ? -2.5 ? ?
      0.96 ? ? 0.7 ? ? 0.913 ? ? 1.09 ? ?
      0.16 ? ? 0.1 ? ? 0.153 ? ? 0.15 ? ?
      0.25 ? ? 0.26 ? ? 0.24 ? ? 0.35 ? ?
      -0.95 ? ? -0.95 ? ? -0.95 ? ? -0.95 ? ?
      LGA 0.6x1.0 ? ? LGA 0.6x0.7 ? ? LGA 0.6x1.0 ? ? LGA 0.6x1.0 ? ?

      技術(shù)文檔

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