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數(shù)據(jù): CSD23202W10 12V P 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表
這款12V,44mΩ器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的1mm×1mm小外形
封裝內(nèi)提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| ? |
| CSD23202W10 |
|---|
| -12 ? ? |
| -6 ? ? |
| Single ? ? |
| 53 ? ? |
| 66 ? ? |
| 92 ? ? |
| -25 ? ? |
| -2.2 ? ? |
| 2.9 ? ? |
| 0.28 ? ? |
| 0.55 ? ? |
| -0.6 ? ? |
| WLP 1.0x1.0 ? ? |