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CSD23202W10 CSD23202W10 12V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET

數(shù)據(jù):

描述

這款12V,44mΩ器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的1mm×1mm小外形
封裝內(nèi)提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 小尺寸封裝1mm x 1mm
  • 薄型,0.62mm高度
  • 無(wú)鉛
  • 柵極靜電放電(ESD)保護(hù) - 3kV
  • 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
  • 無(wú)鹵素

應(yīng)用范圍

  • 電池管理
  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)
  • 電池保護(hù)

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)
CSD23202W10
-12 ? ?
-6 ? ?
Single ? ?
53 ? ?
66 ? ?
92 ? ?
-25 ? ?
-2.2 ? ?
2.9 ? ?
0.28 ? ?
0.55 ? ?
-0.6 ? ?
WLP 1.0x1.0 ? ?

技術(shù)文檔

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