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      CSD22205L -8V P 通道 NexFET 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      該-8V，8.2mΩ，1.2mm×1.2mm基板柵格陣列（LGA）NexFET?器件旨在以超薄且具有出色散熱特性的最小外形尺寸封裝提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷?；鍠鸥耜嚵校↙GA）封裝是一種帶有金屬接觸板（而非焊球）的器件芯片級(jí)封裝。

      特性

      • 低電阻
      • 1.2mm×1.2mm小尺寸封裝
      • 扁平設(shè)計(jì)，高度為0.35mm
      • 無鉛
      • 柵源電壓鉗位
      • 柵極ESD保護(hù)
      • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
      • 無鹵素

      所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      VGS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
      Id Peak (Max) (A)
      Id Max Cont (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      QGS Typ (nC)
      VGSTH Typ (V)
      Package (mm)
      CSD22205L CSD22202W15 CSD22204W CSD22206W
      -8 ? ? -8 ? ? -8 ? ? -8 ? ?
      -6 ? ? -6 ? ? -6 ? ? -6 ? ?
      Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ?
      9.9 ? ? 12.2 ? ? 9.9 ? ? 5.7 ? ?
      15 ? ? 17.4 ? ? 14 ? ? 9.1 ? ?
      40 ? ? ? ? ?
      -71 ? ? -48 ? ? -80 ? ? -108 ? ?
      -7.4 ? ? -5 ? ? -5 ? ? -5 ? ?
      6.5 ? ? 6.5 ? ? 18.9 ? ? 11.2 ? ?
      1 ? ? 1 ? ? 4.2 ? ? 1.8 ? ?
      1.2 ? ? 1.6 ? ? 3.2 ? ? 2.1 ? ?
      -0.7 ? ? -0.8 ? ? -0.7 ? ? -0.7 ? ?
      LGA 1.2x1.2 ? ? WLP 1.5x1.5 ? ? WLP 1.5x1.5 ? ? WLP 1.5x1.5 ? ?

      方框圖 (1)

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
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