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數(shù)據(jù): LMG1205 80-V, 1.2-A to 5-A, Half Bridge GaN Driver with Integrated Bootstrap Diode 數(shù)據(jù)表
LMG1205設(shè)計(jì)用于同步降壓,升壓或半同步驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)FET - 橋梁配置。該器件具有集成的100V自舉二極管和獨(dú)立輸入,用于高端和低端輸出,以實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性。使用自舉技術(shù)產(chǎn)生高側(cè)偏置電壓,并在內(nèi)部鉗位至5 V,這可防止柵極電壓超過(guò)增強(qiáng)型GaN FET的最大柵極 - 源極電壓額定值。 LMG1205的輸入兼容TTLlogic,無(wú)論VDD電壓如何,均可承受高達(dá)14 V的輸入電壓。 LMG1205具有分柵輸出,可獨(dú)立調(diào)節(jié)開(kāi)啟和關(guān)斷強(qiáng)度。
此外,LMG1205的強(qiáng)吸收能力可將柵極維持在低態(tài),從而防止在開(kāi)關(guān)過(guò)程中意外接通。 LMG1205可以工作在幾MHz .LMG1205采用12引腳DSBGA封裝,占板面積小,封裝電感最小。
所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。
| ? |
|---|
| Driver Configuration |
| Number of Channels (#) |
| Power Switch |
| Bus Voltage (V) |
| Peak Output Current (A) |
| Input VCC (Min) (V) |
| Input VCC (Max) (V) |
| Rise Time (ns) |
| Fall Time (ns) |
| Prop Delay (ns) |
| Input Threshold |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| ? |
| LMG1205 | LM5113-Q1 | LMG1020 | LMG1210 |
|---|---|---|---|
| Half Bridge ? ? | Half Bridge ? ? | Low Side ? ? | Half Bridge ? ? |
| 2 ? ? | 2 ? ? | 1 ? ? | 2 ? ? |
| MOSFET GaNFET ? ? | MOSFET GaNFET ? ? | MOSFET GaNFET ? ? | MOSFET GaNFET ? ? |
| 90 ? ? | 90 ? ? | ? | 200 ? ? |
| 5 ? ? | 5 ? ? | 7 ? ? | 3 ? ? |
| 4.5 ? ? | 4.5 ? ? | 4.75 ? ? | 6 ? ? |
| 5.5 ? ? | 5.5 ? ? | 5.25 ? ? | 18 ? ? |
| 7 ? ? | 7 ? ? | 0.21 ? ? | 0.5 ? ? |
| 3.5 ? ? | 3.5 ? ? | 0.21 ? ? | 0.5 ? ? |
| 35 ? ? | 30 ? ? | 2.5 ? ? | 10 ? ? |
| TTL ? ? | TTL ? ? | TTL ? ? | TTL ? ? |
| Catalog ? ? | Automotive ? ? | Catalog ? ? | Catalog ? ? |
| -40 to 125 ? ? | -40 to 125 ? ? | -40 to 125 ? ? | -40 to 125 ? ? |
| DSBGA ? ? | WSON ? ? | DSBGA ? ? | WQFN ? ? |
| See datasheet (DSBGA) ? ? | See datasheet (WSON) ? ? | See datasheet (DSBGA) ? ? | 19WQFN: 12 mm2: 4 x 3(WQFN) ? ? |
型號(hào):LMG1205YFXR 封裝:WFBGA12
品牌:TI 描述:LMG1205 適用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
金額:¥13.21819
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