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FGB20N60S_F085 600 V 20 A 2.2 V D2PAK

數(shù)據(jù):

飛兆半導體的新的場截止IGBT系列采用新型的場截止IGBT技術,為車用充電器,逆變器及其他低導通和開關損耗至關重要的應用提供了最佳性能。 / div>
特性
  • 高電流能力
  • 低飽和電壓:V CE(sat) = 2.2 V(I C = 20 A)
  • 高輸入阻抗
  • 快速開關
  • 符合AEC-Q101汽車行業(yè)標準要求
  • 符合RoHS標準

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術文檔

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