N64S818HA 串行SRAM存儲器 64 kb 1.8 V

安森美半導(dǎo)體的串行SRAM系列包括幾個集成的存儲器件，包括這個64 k串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，內(nèi)部組織為8 k字乘8位。這些器件采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)和制造，可提供高速性能和低功耗。這些器件采用單芯片選擇（CS）輸入工作，并使用簡單的串行外設(shè)接口（SPI）串行總線。單個數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出線與時鐘一起使用以訪問設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)。 N64S818HA器件包含一個HOLD引腳，允許暫停與器件的通信。暫停時，輸入轉(zhuǎn)換將被忽略。這些器件可在-40°C至+ 85°C的寬溫度范圍內(nèi)工作，并可提供多種標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。

特性
1.7至1.95 V電源范圍
待機(jī)電流極低 - 低至200 nA
極低的工作電流 - 低至3 mA
簡單的內(nèi)存控制：單片機(jī)選擇（CS），串行輸入（SI）和串行輸出（SO）
靈活的操作模式：字讀寫，頁面模式（32字頁）和突發(fā)模式（完整數(shù)組）
8 K x 8位組織
自定時寫周期
內(nèi)置寫保護(hù)（CS高）
用于暫停通訊的HOLD引腳
高可靠性 - 無限制寫周期
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝 - 綠色SOIC和TSSOP