這種低閾值，增強型（常關）晶體管采用垂直DMOS結構和經(jīng)過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。該器件具有所有MOS結構的特性，不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于極低閾值電壓，高擊穿電壓，高輸入阻抗，低電壓的各種開關和放大應用需要輸入電容和快速切換速度。

高輸入阻抗和高增益

低功率驅動要求

＆nbsp ; 易于并聯(lián)

低CISS和快速切換速度

卓越的熱穩(wěn)定性

整體來源 - 二極管

免于二次故障