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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • SGN27C160I2D 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-23 20:31

    產(chǎn)品型號(hào)：SGN27C160I2D 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào)：SGN27C160I2D 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • SGN26C050MK 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-23 20:24

    產(chǎn)品型號(hào)：SGN26C050MK 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào)： SGN26C050MK 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • EGN26C210I2D 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-23 20:19

    產(chǎn)品型號(hào)：EGN26C210I2D 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào)： EGN26C210I2D 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • EGN26C160I2D 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-23 20:11

    產(chǎn)品型號(hào)：EGN26C160I2D 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào)：EGN26C160I2D 名稱： 用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • EGN26C105I2D 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-23 20:05

    產(chǎn)品型號(hào)：EGN26C105I2D 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào)：EGN26C105I2D 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • EGN26C070MK 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-23 19:58

    產(chǎn)品型號(hào)：EGN26C070MK 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào)：EGN26C070MK 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • EGN26C070I2D 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-23 19:50

    產(chǎn)品型號(hào)：EGN26C070I2D 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào)：EGN26C070I2D 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • SGN21C050MK 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-23 19:42

    產(chǎn)品型號(hào)：SGN21C050MK 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào)：SGN21C050MK 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • EGN21C320IV 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-23 19:32

    產(chǎn)品型號(hào)：EGN21C320IV 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào)：EGN21C320IV 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • EGN21C210I2D 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-22 16:29

    產(chǎn)品型號(hào)：EGN21C210I2D 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號(hào)：EGN21C210I2D 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT