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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • SGN26H120M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-21 09:26

    產(chǎn)品型號：SGN26H120M1H 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號： SGN26H120M1H 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • SGN26H080M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-21 09:19

    產(chǎn)品型號：SGN26H080M1H 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號：SGN26H080M1H 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • SGN21H181M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-20 19:31

    產(chǎn)品型號：SGN21H181M1H 廠家： Sumitomo Electric Eudyna 型號：SGN21H181M1H 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • SGN21H121M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-20 19:25

    產(chǎn)品型號：SGN21H121M1H 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號：SGN21H121M1H 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • SGN21H180M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-20 19:20

    產(chǎn)品型號：SGN21H180M1H 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號： SGN21H180M1H 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • SGN19H240M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-20 19:12

    產(chǎn)品型號：SGN19H240M1H 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號： SGN19H240M1H 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • SGN19H181M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-20 19:06

    產(chǎn)品型號：SGN19H181M1H 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號：SGN19H181M1H 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • SGNH240M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-20 18:24

    產(chǎn)品型號：SGNH240M1H 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號：SGNH240M1H 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • FLM1011-20F X波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-20 18:16

    產(chǎn)品型號：FLM1011-20F 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號：FLM1011-20F 名稱：內(nèi)部匹配高功率GaAs FET 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • FLM1011-15F X波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-20 18:10

    產(chǎn)品型號：FLM1011-15F 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號：FLM1011-15F 名稱：內(nèi)部匹配高功率GaAs FET 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT