產(chǎn)品
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CGH25120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 10:45
產(chǎn)品型號(hào)：CGH25120F 頻率：2.3 – 2.7 GHz 操作 增益：13分貝增益 PAVE功率：20 W PAVE 時(shí) -32 dBc ACLR PAVE效率：20 W PAVE 時(shí)效率為 30 % 應(yīng)用特性：可應(yīng)用高度 DPD 校正 -
CGH21240F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板2022-05-25 10:32
產(chǎn)品型號(hào)：CGH21240F-AMP 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 PAVE功率：40 W PAVE 時(shí) -35 dBc ACLR PAVE效率：40 W PAVE 時(shí)效率為 33% 應(yīng)用特性：可應(yīng)用高度 DPD 校正 -
CGH21240F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 10:30
產(chǎn)品型號(hào)：CGH21240F 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：40 W PAVE 時(shí) -35 dBc ACLR PAVE效率：40 W PAVE 時(shí)效率為 33% 應(yīng)用特點(diǎn)：可應(yīng)用高度 DPD 校正 -
CGH21120F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板2022-05-25 10:16
產(chǎn)品型號(hào)：CGH21120F-AMP 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：-35 dBc ACLR，20 W PAVE PAVE效率：20 W PAVE 時(shí)效率為 35 % 應(yīng)用：可應(yīng)用高度 DPD 校正 -
CGH21120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 10:13
產(chǎn)品型號(hào)：CGH21120F 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：-35 dBc ACLR，20 W PAVE PAVE效率：20 W PAVE 時(shí)效率為 35 % 應(yīng)用：可應(yīng)用高度 DPD 校正 -
CGH09120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 10:00
產(chǎn)品型號(hào)：CGH09120F 頻率：UHF – 2.5 GHz 操作 增益：21分貝增益 功率：-38 dBc ACLR，20 W PAVE PAVE效率：20 W PAVE 時(shí)效率為 35 % 適用于：可應(yīng)用高度 DPD 校正 -
CG2H80120D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 09:47
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H80120D-GP4 PSAT功率：120 W 典型 PSAT 操作電壓：28 伏操作 電壓：高擊穿電壓 環(huán)境：高溫操作 頻率：高達(dá) 8 GHz 的操作 -
CG2H80060D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 09:33
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H80060D-GP4 PSAT功率：60 W 典型 PSAT 操作電壓：28 伏操作 電壓：高擊穿電壓 環(huán)境：高溫操作 頻率：高達(dá) 8 GHz 的操作 -
C3M0160120J碳化硅MOSFET2022-05-24 22:35
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0160120J 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 柵極-源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 脈沖漏極電流：34A 功耗：90W -
C2M0080120D碳化硅MOSFET2022-05-24 22:27
產(chǎn)品型號(hào)：C2M0080120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓：-10/+25V 脈沖漏極電流：80A 功耗：192W 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度：-55to +150?C