立年電子科技產(chǎn)品

• C3M0120100K碳化硅MOSFET2022-05-23 21:05

  

  產(chǎn)品型號：C3M0120100K 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 功耗：83W

  立即咨詢

• C3M0120100J碳化硅MOSFET2022-05-23 20:57

  

  產(chǎn)品型號：C3M0120100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 單脈沖：83W

  立即咨詢

• C3M0065100K碳化硅MOSFET2022-05-23 18:20

  

  產(chǎn)品型號：C3M0065100K 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：90A 雪崩能量，單脈沖：110W

  立即咨詢

• CG2H40035F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-23 14:45

  

  產(chǎn)品型號：CG2H40035F-AMP 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64% 增益：3.5 GHz 時 14 dB 小信號增益 電壓：28 伏操作

  立即咨詢

• CG2H40035F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-23 14:42

  

  產(chǎn)品型號：CG2H40035F 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64% 增益：3.5 GHz 時 14 dB 小信號增益 電壓：28 伏操作

  立即咨詢

• CG2H40035P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-23 14:36

  

  產(chǎn)品型號：CG2H40035P 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64% 增益：3.5 GHz 時 14 dB 小信號增益 電壓：28 伏操作

  立即咨詢

• C3M0065100J碳化硅MOSFET2022-05-22 22:19

  

  產(chǎn)品型號：C3M0065100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：90A 雪崩能量，單脈沖：110mJ

  立即咨詢

• C3M0280090J碳化硅MOSFET2022-05-22 21:45

  

  產(chǎn)品型號：C3M0280090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：22A 功耗：49W

  立即咨詢

• C3M0120090D碳化硅MOSFET2022-05-22 21:36

  

  產(chǎn)品型號：C3M0120090D 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 功耗：97W

  立即咨詢

• C3M0120090J碳化硅MOSFET2022-05-22 21:24

  

  產(chǎn)品型號：C3M0120090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 功耗：83W

  立即咨詢