型號簡介
      MPQ1918GQE-AEC1-Z是MPS的一款柵極驅動器。專為驅動半橋或同步應用中的增強型氮化鎵 (GaN) FET 和低柵極閾值電壓 N 溝道 MOSFET而設計。采用獨立的上管 (HS) 和下管 (LS) 脈寬調制 (PWM) 輸入。它采用自舉技術提供 HS 驅動電壓自舉，并可以在高達 100V 的電壓下工作。其新型充電技術可防止 HS 驅動電壓超過 VCC 電壓 (VCC)，從而防止柵極電壓超過 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。

型號特點 

• 獨立的上管 (HS) 和下管 (LS) TTL 邏輯輸入
• HS 浮動偏置電壓軌工作電壓高達 100VDC
• 獨立柵極輸出以實現(xiàn)可調導通與關斷能力
• 內部自舉開關電源電壓鉗位
• 3.7V 至 5.5V VCC 電壓 (VCC) 范圍
• 0.27Ω/1.2Ω 下拉/上拉電阻
• 快速傳播時間
• 出色的傳播延遲匹配（1.5ns典型值）
• 采用側面鍍錫的 FCQFN-14 (3mmx3mm) 封裝
• 符合AEC-Q100 等級1認證

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