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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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WNM3008:超低閾值電壓,優(yōu)化電源性能

型號(hào): WNM3008

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 產(chǎn)品系列 WNM3008
  • 產(chǎn)品類型 晶體管
  • 品牌 WILLSEMI/OmniVision

--- 產(chǎn)品詳情 ---

WNM3008

型號(hào)簡(jiǎn)介
       WNM3008WILLSEMI/OmniVision推出的一款小巧而強(qiáng)大的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,擁有許多令人印象深刻的特性。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì),使其擁有極低的導(dǎo)通電阻,這意味著它可以高效地驅(qū)動(dòng)大電流負(fù)載,同時(shí)保持較低的功耗。

 

型號(hào)規(guī)格

  • 品牌:WILLSEMI/OmniVision
  • 型號(hào):WNM3008
  • 名稱:晶體管
  • 封裝:SOT-23

 

型號(hào)特點(diǎn)

  • 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)
  • 非常適合 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  • 符合無鉛和鹵素環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
  • 脈沖漏極電流 (IDM): 10A
  • 工作結(jié)溫 (TJ): 150°C
  • 引線溫度 (TL): 260°C
  • 存儲(chǔ)溫度范圍 (Tstg): -55°C to 150°C

 

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