一、產(chǎn)品綜述
Simcenter T3Ster SI熱瞬態(tài)測試儀，是半導體熱特性熱測試儀器。它通過非破壞性地測試封裝好的半導體器件的電壓隨著時間的瞬態(tài)變化，快速地獲得準確的，重復性高的結(jié)溫熱阻數(shù)據(jù)以及結(jié)構(gòu)內(nèi)部信息。Simcenter T3STER SI支持對器件進行在線測試，結(jié)殼熱阻測試等。測試結(jié)果可以生成熱阻熱容模型供熱仿真軟件使用，同時也可以用于校準詳細的仿真模型。
Simcenter T3STER SI的測試方法滿足國際通用標準：JEDEC JESD51-1，JEDEC JESD51-14，美軍標MIL 883H，MIL 750E以及國際電工委員會的ICE60747系列。
Simcenter T3STER SI的研發(fā)部門MicReD聯(lián)合英飛凌共同制定了***的結(jié)殼熱阻測試標準JEDEC JESD 51-14: Transient Dual Interface Test Method。T3STER SI的測試方法完全符合標準要求，支持通過兩種方法來計算結(jié)殼熱阻。
Simcenter T3STER SI的研發(fā)部門MicReD制定了***個使用電學法測試LED器件真實熱阻的***JESD51-51，以及規(guī)范LED器件光熱一體化測試的JESD51-52。
Simcenter T3STER SI既能進行穩(wěn)態(tài)結(jié)溫、熱阻測試，也能進行熱瞬態(tài)測試。在采集瞬態(tài)溫度響應曲線（冷卻曲線）時，采樣時間間隔最快可達1微秒。
Simcenter T3STER SI***的結(jié)構(gòu)函數(shù)(structure function)可以圖形化地展示熱流傳導路徑上每層結(jié)構(gòu)的熱阻和熱容信息，非破壞性地檢測封裝結(jié)構(gòu)的改變，因而被廣泛地應用于產(chǎn)品封裝的新材料或新工藝的對比、產(chǎn)品可靠性研究、產(chǎn)品質(zhì)量評估以及接觸熱阻等各個領域。
Simcenter T3STER SI可以與Simcenter Flotherm Flexx和Simcenter FLOEFD等仿真軟件高度配合，建立準確高效的Digital Twin，包括為仿真軟件輸出RC網(wǎng)絡模型，校準仿真模型等。從而提高仿真準確度，提升仿真設計速度。
Simcenter T3SterSI具有完全重新設計的系統(tǒng)硬件架構(gòu)和控制軟件。
● 可用性的優(yōu)化
● 相對簡單的集成
● 靈活的配置以及相對較高的測量/生產(chǎn)效率
二、產(chǎn)品優(yōu)勢
三、應用概述
應用對象● 各種三極管、二極管等半導體分立器件，包括：常見的半導體閘流管、雙極型晶體管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件；● 各種復雜的IC以及MCM、SIP、SoC等新型結(jié)構(gòu)；● 各種復雜的散熱模組的熱特性測試，如熱管、風扇等；
Simcenter T3STER SI可測試的器件針對不同的器件，需要選擇合適的TSP● 二極管：選擇正向壓降VF作為TSP，所有器件都可以當成二極管測試；● 三極管：BJT：Vbe● MOSFET（包括SiC MOSFET）：Vsd● IGBT（包括分立器件和功率模塊）：Vce● GaAs FET和GaN HEMT：Vgs，柵極電流或Vce● 熱測試芯片：內(nèi)置了加熱電阻和溫敏二極管；在加熱電阻上施加功率，測試二極管● 數(shù)字IC：襯底二極管，VCC和GND反向偏置，施加加熱功率并測試。
產(chǎn)品設計和研發(fā)階段1）通過測試+仿真的數(shù)字孿生，從源頭上***設計模型的準確性，節(jié)約設計成本，減少返工的幾率；2）測試原型器件的熱學結(jié)構(gòu)信息，發(fā)現(xiàn)隱藏的設計缺陷，及時改進產(chǎn)品的設計；3）通過結(jié)構(gòu)函數(shù)強大的結(jié)構(gòu)對比功能，在***產(chǎn)品性能的前提下，選擇性價比更高的材料和工藝；4）提供基于測試結(jié)果的仿真模型供下游客戶使用，增強產(chǎn)品的市場競爭力；● 產(chǎn)品制造階段：發(fā)現(xiàn)隱藏的缺陷，降低后期維保的成本；● 質(zhì)量評估階段：對產(chǎn)品進行全方位的熱學表征，及時發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品的質(zhì)量缺陷。
四、T3ster SI***的技術優(yōu)勢
***的靜態(tài)實時測試方法
T3Ster SI的測試技術與傳統(tǒng)的動態(tài)測試法(dynamic mode)不同，采用的是***的靜態(tài)測試法(static mode)，可以實時地采集待測器件的結(jié)溫隨著時間的變化。而動態(tài)測試法是通過人為構(gòu)建脈沖加熱功率來模擬瞬態(tài)過程，并非器件實際的瞬態(tài)溫度響應。靜態(tài)法的測試時間短、測試數(shù)據(jù)點密而且測試數(shù)據(jù)的信噪比更高。
測試啟動時間高達1us，***測試結(jié)果準確性
研究表明，在測試中如果瞬態(tài)變化最初1ms時間內(nèi)的溫度沒有被采集到，最終的熱阻值將被低估10%-15%左右。
實時采樣時間間隔高達1us，采樣點數(shù)最多65000點，***數(shù)據(jù)完備性
T3ster SI有4個瞬態(tài)測量通道，具有1Msample/s采樣率，18bit分辨率，即高達0.002℃的分辨率，并具有0.025℃的RMS噪聲。可以理解為其擁有更好的分辨率、***的噪音、更好的信噪比。T3ster的結(jié)溫分辨率是0.01℃，16bit分辨率。
