MA4M1100（金屬氮化物硅）芯片電容器專為微波電路應用中的高可靠性和可重復性能而設計。這些電容器由低壓化學氣相沉積（LPCVD）制成，形成致密、均勻的氮化物層。與類似的MOS、MIS和陶瓷電容器相比，這些器件具有更高的單位面積電容（導致更小的芯片尺寸）和更強的堅固性。蒸發(fā)金觸點用于在電容器芯片上提供易于粘合的金屬墊。MACOM的MNS電容器在150攝氏度的額定隔離電壓下沒有表現(xiàn)出可測量的電容變化。MA4M系列芯片電容器是Ku波段混合微波電路的最佳選擇，在Ku波段，低損耗、高可靠性、小尺寸和溫度穩(wěn)定性是主要關注點。
產(chǎn)品規(guī)格
零件編號 MA4m1100
簡短描述 MNS微波片式電容器
電容（pf） 100
支座電壓（V） 100
芯片樣式 199
包裝類別 模具/沖模
包裹 模具
特征
極佳的重復性（晶圓對晶圓和批次對批次）
可提供圓形或方形粘合墊
低損耗，高Q
小型
應用
航空航天與國防
ISM
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