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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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QPD1003 晶體管 GaN IMFET

型號: QPD1003

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 1,200
  • 最大頻率(MHz) 1,400
  • 增益(分貝) 19.9
  • 飽和度(dBm) 57.3
  • PAE (%) 66.7
  • 電壓(伏) 50
  • Idq (毫安) 750
  • 包裝類型 RF-565

--- 產(chǎn)品詳情 ---

QPD1003

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 QPD1003 是一款 500 W (P3dB) 內(nèi)部匹配的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN,其工作頻率范圍為 1.2 至 1.4 GHz,采用 50V 電源軌。該器件是 GaN IMFET,完全匹配 50 歐姆,采用行業(yè)標準氣腔封裝,非常適合軍用和民用雷達。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 1,200
最大頻率(MHz) 1,400
增益(分貝) 19.9
飽和度(dBm) 57.3
PAE (%) 66.7
電壓(伏) 50
Idq (毫安) 750
包裝類型 RF-565

 

主要特征
頻率范圍:1.2 - 1.4 GHz
輸出功率 (P3dB):1.3 GHz 時為 540 W
線性增益:1.3 GHz 時典型值為 19.9 dB
典型 PAE3dB:1.3 GHz 時為 66.7%
工作電壓:50V
低熱阻封裝
脈沖能力

 

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