產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXTN2020F 先進的工藝能力和封裝設計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設備的緊湊尺寸和額定值使其非常適合空間非常寶貴的應用。
產(chǎn)品規(guī)格
類別 低飽和晶體管
合規(guī)性（只有汽車支持 PPAP） 標準
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 100
IC (A) 4
ICM (A) 12
PD (W) 1
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 35
hFE (@ IC2) (A) 4
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 105
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/100
fT (MHz) 130
RCE(sat) (mΩ) 30
主要特征
更高的功耗SOT23封裝
高峰值電流
低飽和電壓
160V正向阻斷電壓
相關型號
ZXTN19100CG
ZXTN19100CZ
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