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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMC21D1UDA 互補(bǔ)對增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號: DMC21D1UDA

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMC21D1UDA
  • 名稱 互補(bǔ)對增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 X2-DFN0806-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC21D1UDA

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMC21D1UDA 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMC21D1UDA
名稱            互補(bǔ)對增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            X2-DFN0806-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20, 20 V
|VGS| (±V) 8, 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.455, 0.328 A
PD @TA = +25°C (W) 0.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 990, 1900 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1200, 2400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1800, 3400 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1800, 3400 V
|VGS(TH)| Max (V) 1, 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.41, 0.4 nC
CISS Typ (pF) 31, 28.5 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10, 10 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
極低柵極閾值電壓,最大值 1.0V
低輸入電容
開關(guān)速度快
超小型表面貼裝封裝 0.8mm x 0.6mm

 

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