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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMC3016LNS 互補(bǔ)對增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號: DMC3016LNS

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 晶體管 DIODES
  • 型號 DMC3016LNS
  • 名稱 互補(bǔ)對增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 POWERDI®3333-8 (Type UXB)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC3016LNS 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMC3016LNS  這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMC3016LNS
名稱            互補(bǔ)對增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            POWERDI?3333-8 (Type UXB)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30, 30 V
|VGS| (±V) 20, 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9, 6.8 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 16, 28 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 20, 38 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2, 2.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 9.5, 9.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 21, 19.7 nC
CISS Typ (pF) 1184, 1188 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15, 15 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
互補(bǔ)對 MOSFET


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