--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMN10H220LFVW
- 名稱 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 PowerDI®3333-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN10H220LFVW這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時(shí)保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMN10H220LFVW
名稱 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 PowerDI?3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 11 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
PD @TC = +25°C (W) 41 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 222 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 270 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 7.4 nC
CISS Typ (pF) 366 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測試
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
用于改進(jìn)光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)面
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