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DMN10H6D2LFDB 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN10H6D2LFDB

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN10H6D2LFDB
  • 名稱 雙 N 溝道增強模式 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產品詳情 ---

DMN10H6D2LFDB

產品簡介
DIODES 的 DMN10H6D2LFDB這種MOSFET被設計為最小化導通電阻(RDS(ON))同時保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應用。
小型伺服電機控制
功率MOSFET柵極驅動器
切換應用程序

 

產品規(guī)格 
品牌              DIODES
型號              DMN10H6D2LFDB
名稱              雙 N 溝道增強模式 MOSFET
產地               臺灣
封裝               U-DFN2020-6


產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.27 A
PD @TA = +25°C (W) 1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 6000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.2 nC


主要特征
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關速度快
低輸入/輸出泄漏
高漏源電壓額定值
ESD 保護高達 1kV


相關型號
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DMN2016LHAB
DMN2016UFX
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