DMN1260UFA 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

Diodes MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN1260UFA

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號(hào) DMN1260UFA
名稱 N溝道MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 X2-DFN0806-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DMN1260UFA 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN1260UFA
名稱 N溝道MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 X2-DFN0806-3

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.5 A
PD @TA = +25°C (W) 0.36 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 366 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 520 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 950 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.96 nC
CISS Typ (pF) 65 pF

主要特征
0.4mm超薄封裝，適用于薄型應(yīng)用
0.48mm2封裝面積，比SOT23小16倍
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
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