DMN2451UFDQ 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

Diodes MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN2451UFDQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號(hào) DMN2451UFDQ
名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 U-DFN1212-3 (Type C)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN2451UFDQ這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON））同時(shí)保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN2451UFDQ
名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 U-DFN1212-3 (Type C)

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.1 A
PD @TA = +25°C (W) 1.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 600 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 800 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.45 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.7 nC
CISS Typ (pF) 52 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V

主要特征
低導(dǎo)通電阻
極低的柵極閾值電壓，最大值 1.0V。
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
ESD保護(hù)柵極

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