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企業(yè)號介紹

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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2992UFB4Q 20V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN2992UFB4Q

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2992UFB4Q
  • 名稱 20V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 X2-DFN1006-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2992UFB4Q 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2992UFB4Q 這種MOSFET被設(shè)計為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2992UFB4Q
名稱               20V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               X2-DFN1006-3


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.83 A
PD @TA = +25°C (W) 1.02 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 990 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1200 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1800 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.41 nC
CISS Typ (pF) 15.6 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V

 

 

主要特征
占位面積僅為 0.6mm 2 – 比 SOT23 小十三倍
4 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
低柵極閾值電壓
開關(guān)速度快

 

相關(guān)型號
DMN2992UFB4Q
DMN29M9UFDF
DMN3006SCA6
DMN3007LSS
DMN3008SCP10
DMN3008SFG
DMN3008SFGQ
DMN3009LFV
DMN3009LFVQ
DMN3009LFVW
DMN3009LFVWQ
DMN3009SFG
DMN3009SFGQ
DMN3009SK3
DMN3009SSS
DMN3010LFG
DMN3010LK3
DMN3010LSS
DMN3012LEG
DMN3012LFG
DMN3013LDG
DMN3013LFG
DMN3015LSD
DMN3016LDN
DMN3016LDV
DMN3016LFDE
DMN3016LFDF
DMN3016LFDFQ
DMN3016LK3
DMN3016LPS
DMN3016LSS
DMN3018SFG
DMN3018SSD
DMN3018SSS
DMN3020UFDF
DMN3020UFDFQ
DMN3020UTS
DMN3021LFDF
DMN3022LDG
DMN3022LFG

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