產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN32D0LV 這種MOSFET被設計為最小化導通電阻（RDS（ON）），同時保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應用。

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN32D0LV
名稱                雙N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                SOT563

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.68 A
PD @TA = +25°C (W) 0.48 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 1200 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 2200 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.6 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.62 nC
CISS Typ (pF) 44.8 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

主要特征
雙 N 溝道 MOSFET
低導通電阻
極低的柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
超小型表面貼裝封裝

相關(guān)型號
DMN31D4UFZ
DMN31D5L
DMN31D5UDA
DMN31D5UDAQ
DMN31D5UDJ
DMN31D5UFO
DMN31D5UFZ
DMN31D5UFZQ
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DMN3200U
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DMN32D0LV
DMN32D0LVQ
DMN32D2LDF
DMN32D2LFB4
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DMN3300UQ
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DMN33D8LDW
DMN33D8LDWQ
DMN33D8LT
DMN33D8LTQ
DMN33D8LV
DMN33D8LVQ
DMN33D9LV
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DMN3401LDWQ
DMN3401LV
DMN3401LVQ
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