產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMNH10H028SK3 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON））同時(shí)保持卓越的切換性能，使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMNH10H028SK3
名稱 100V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI?5060-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 40 A
PD @TA = +25°C (W) 2.9 W
PD @TC = +25°C (W) 166 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 28 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 36 nC
CISS Typ (pF) 2245 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
100% 非鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān) – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
熱效率封裝冷卻器運(yùn)行應(yīng)用
高轉(zhuǎn)換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
<1.1mm 封裝外形 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
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