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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMNH4005SPSQ 40V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMNH4005SPSQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMNH4005SPSQ
  • 名稱 40V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMNH4005SPSQ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMNH4005SPSQ 這種MOSFET在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并得到 PPAP 支持。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMNH4005SPSQ
名稱                40V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                PowerDI?5060-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 80 A
PD @TA = +25°C (W) 2.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 23 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 48 nC
CISS Typ (pF) 2847 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V

 

主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān) – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
低 R DS(ON) – 最大限度地減少功率損耗
低 Q g – 最大限度地減少開關(guān)損耗
<1.1mm 封裝外形 – 薄型應(yīng)用的理想選擇

 

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