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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP3021SFVWQ 30VP 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMP3021SFVWQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP3021SFVWQ
  • 名稱 30VP 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP3021SFVWQ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP3021SFVWQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),并由 PPAP 支持。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMP3021SFVWQ
名稱                  30VP  溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  PowerDI3333-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 11 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 42 A
PD @TA = +25°C (W) 2.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 15 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 25 (@5V) mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 17.4 (@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 34 nC
CISS Typ (pF) 1799 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低 RDS(ON) – 確保最小化通態(tài)損耗
小尺寸熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)更高
密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%,從而實(shí)現(xiàn)
更小的最終產(chǎn)品
ESD保護(hù)柵極


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