產品簡介
DIODES 的 DMS3014SFGQ 這種MOSFET的設計滿足汽車應用。它符合AEC-Q101標準。
產品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMS3014SFGQ
名稱 30V N 溝道增強型 MOSFET
產地 臺灣
封裝 PowerDI?3333-8
產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 14.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 15.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 19.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 45.7 nC
CISS Typ (pF) 2296 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
DIOFET 利用獨特的專利工藝將 MOSFET 和肖特基單片集成在單個芯片中，以提供：
- 低 RDS(ON) – 最小化傳導損耗
- 低 VSD – 減少體二極管傳導造成的損耗
- 低 QRR – 集成肖特基的較低 QRR 可減少體二極管開關損耗
- 低柵極電容 (Qg/Qgs) 比 – 降低風險高頻下的直通或交叉?zhèn)鲗щ娏?br>小尺寸熱效率封裝可實現更高密度的最終產品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實現更小的最終產品
100% UIS（雪崩）評級
100% Rg 測試
相關型號
DMS2095LFDB
DMS2120LFWB
DMS2220LFDB
DMS3014SFGQ
DMT10H003SPSW
DMT10H009LCG
DMT10H009LFG
DMT10H009LH3
DMT10H009LK3
DMT10H009LPS
DMT10H009LSS
DMT10H009SCG
DMT10H009SK3
DMT10H009SPS
DMT10H009SSS
DMT10H010LCT
DMT10H010LK3
DMT10H010LPS
DMT10H010LSS
DMT10H010LSSQ
DMT10H010SPS
DMT10H014LSS
DMT10H015LCG
DMT10H015LFG
DMT10H015LK3
DMT10H015LPS
DMT10H015LSS
DMT10H015SK3
DMT10H015SPS
DMT10H017LPD
DMT10H025LK3
DMT10H025LSS
DMT10H025SK3
DMT10H025SSS
DMT10H032LDV
DMT10H032LFDF
DMT10H032LFVW
DMT10H032LK3
DMT10H032LSS
DMT10H032SFVW
DMT10H052LFDF
DMT10H072LFDF
DMT10H072LFDFQ
DMT10H072LFV
DMT10H4M5LPS
DMT10H9M9LCT
DMT10H9M9SCT
DMT10H9M9SH3
DMT12H007LPS
DMT12H007SPS
DMT12H060LCA9
DMT12H060LFDF
DMT12H065LFDF
DMT12H090LFDF4
DMT15H017LPS
DMT15H017LPSW
DMT15H017SK3
DMT15H035SCT
DMT15H053SK3
DMT15H053SSS
DMT15H067SSS
DMT2004UFDF
DMT2004UFG
DMT2004UFV
DMT2004UPS
DMT2005UDV
DMT3002LPS
DMT3003LFG
DMT3003LFGQ
DMT3004LFG
DMT3004LPS
30V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管
產品簡介
DIODES 的 DMS3014SFGQ 這種MOSFET的設計滿足汽車應用。它符合AEC-Q101標準。
產品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMS3014SFGQ
名稱 30V N 溝道增強型 MOSFET
產地 臺灣
封裝 PowerDI?3333-8
產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 14.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 15.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 19.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 45.7 nC
CISS Typ (pF) 2296 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
DIOFET 利用獨特的專利工藝將 MOSFET 和肖特基單片集成在單個芯片中，以提供：
- 低 RDS(ON) – 最小化傳導損耗
- 低 VSD – 減少體二極管傳導造成的損耗
- 低 QRR – 集成肖特基的較低 QRR 可減少體二極管開關損耗
- 低柵極電容 (Qg/Qgs) 比 – 降低風險高頻下的直通或交叉?zhèn)鲗щ娏?br>小尺寸熱效率封裝可實現更高密度的最終產品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實現更小的最終產品
100% UIS（雪崩）評級
100% Rg 測試
相關型號
DMS2095LFDB
DMS2120LFWB
DMS2220LFDB
DMS3014SFGQ
DMT10H003SPSW
DMT10H009LCG
DMT10H009LFG
DMT10H009LH3
DMT10H009LK3
DMT10H009LPS
DMT10H009LSS
DMT10H009SCG
DMT10H009SK3
DMT10H009SPS
DMT10H009SSS
DMT10H010LCT
DMT10H010LK3
DMT10H010LPS
DMT10H010LSS
DMT10H010LSSQ
DMT10H010SPS
DMT10H014LSS
DMT10H015LCG
DMT10H015LFG
DMT10H015LK3
DMT10H015LPS
DMT10H015LSS
DMT10H015SK3
DMT10H015SPS
DMT10H017LPD
DMT10H025LK3
DMT10H025LSS
DMT10H025SK3
DMT10H025SSS
DMT10H032LDV
DMT10H032LFDF
DMT10H032LFVW
DMT10H032LK3
DMT10H032LSS
DMT10H032SFVW
DMT10H052LFDF
DMT10H072LFDF
DMT10H072LFDFQ
DMT10H072LFV
DMT10H4M5LPS
DMT10H9M9LCT
DMT10H9M9SCT
DMT10H9M9SH3
DMT12H007LPS
DMT12H007SPS
DMT12H060LCA9
DMT12H060LFDF
DMT12H065LFDF
DMT12H090LFDF4
DMT15H017LPS
DMT15H017LPSW
DMT15H017SK3
DMT15H035SCT
DMT15H053SK3
DMT15H053SSS
DMT15H067SSS
DMT2004UFDF
DMT2004UFG
DMT2004UFV
DMT2004UPS
DMT2005UDV
DMT3002LPS
DMT3003LFG
DMT3003LFGQ
DMT3004LFG
DMT3004LPS
