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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMT10H009LK3 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMT10H009LK3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMT10H009LK3
  • 名稱(chēng) 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TO252

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMT10H009LK3

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMT10H009LK3 這款新一代 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)的特點(diǎn),使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMT10H009LK3
名稱(chēng)                 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  TO252

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 90 A
PD @TA = +25°C (W) 3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 13 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 20 nC
CISS Typ (pF) 2309 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS) 測(cè)試 – 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
低 RDS(ON) – 最大限度地減少功率損耗
低 Qg – 最大限度地減少開(kāi)關(guān)損耗


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