--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMT6009LPS
- 名稱 60V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 PowerDI® 5060-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMT6009LPS 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) ),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMT6009LPS
名稱 60V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI? 5060-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.6 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 87 A
PD @TA = +25°C (W) 2.3 W
PD @TC = +25°C (W) 113 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 10 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 12 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 15.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 33.5 nC
CISS Typ (pF) 1925 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān) – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
低 R DS(ON) – 最大限度地減少功率損耗
低 Q g – 最大限度地減少開關(guān)損耗
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