--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMT6011LPDW
- 名稱 60V 雙 N 溝道增強型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 PowerDI®5060-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT6011LPDW 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON)),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMT6011LPDW
名稱 60V 雙 N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 PowerDI?5060-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 14 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 22 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 11.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 22.2 nC
主要特征
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關(guān) (UIS) 測試 –
確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
熱效率封裝冷卻器運行應(yīng)用
高轉(zhuǎn)換效率
低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開關(guān)速度快
用于改進(jìn)光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)面
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