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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMTH4008LPS 40V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMTH4008LPS

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH4008LPS
  • 名稱 40V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH4008LPS 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH4008LPS 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) ),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                   DIODES
型號                   DMTH4008LPS
名稱                   40V  N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                   臺灣
封裝                   PowerDI?5060-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 14.4 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 64.8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.99 W
PD @TC = +25°C (W) 55.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 8.8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 13 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 7.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 15.3 nC
CISS Typ (pF) 1088 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān),生產(chǎn)測試 – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
低 R DS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
低輸入電容
開關(guān)速度快


相關(guān)型號
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DMTH4014LFVWQ
DMTH4014LPD
DMTH4014LPDQ
DMTH4014LPSW
DMTH4014LPSWQ
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DMTH4014SPSWQ
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DMTH41M2SPSQ
DMTH41M8SPS
DMTH41M8SPSQ
DMTH42M4SPS
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