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企業(yè)號(hào)介紹

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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMTH6005LK3 60V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMTH6005LK3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMTH6005LK3
  • 名稱 60V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TO252

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH6005LK3 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH6005LK3 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) ),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    DMTH6005LK3
名稱                    60V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    TO252


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 90 A
PD @TA = +25°C (W) 3.9 W
PD @TC = +25°C (W) 100 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5.6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 23.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 47.1 nC
CISS Typ (pF) 2962 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān) – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
低 R DS(ON) – 最大限度地減少功率損耗
低 QG –最大限度地減少開關(guān)損耗


相關(guān)型號(hào)
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DMTH6010LK3Q
DMTH6010LPD
DMTH6010LPDQ
DMTH6010LPDW
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DMTH6010LPS
DMTH6010LPSQ
DMTH6010LPSW
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