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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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MMBF170 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: MMBF170

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 MMBF170
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT23 (Standard)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

MMBF170 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 MMBF170 此MOSFET設(shè)計(jì)用于最小化導(dǎo)通狀態(tài)電阻(RDS(on))同時(shí)保持卓越的切換性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    MMBF170
名稱                    N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                     SOT23 (Standard)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+PNP
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 0.5 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.63 A
PD @TA = +25°C (W) 2.47 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 700 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 736.6 nC
CISS Typ (pF) 60.67 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
切換速度快
低輸入/輸出泄漏


相關(guān)型號
MMBF170
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