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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ZXMN2B14FH N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): ZXMN2B14FH

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) ZXMN2B14FH
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXMN2B14FH 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXMN2B14FH 新一代溝槽MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,可通過低柵極驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    ZXMN2B14FH
名稱                    N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 55 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 75 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 100 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 11 nC
CISS Typ (pF) 872 pF


主要特征
低導(dǎo)通電阻
切換速度快
低柵極驅(qū)動(dòng)能力


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