產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXMN3AMC該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(on) )，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    ZXMN3AMC
名稱(chēng)                    30V 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    DFN3020B-8

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.7, 3.0 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 120 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 180 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 3.9 nC
CISS Typ (pF) 190 pF

主要特征
適用于精簡(jiǎn)應(yīng)用程序的薄型封裝
低RθJA，熱效率封裝6mm2
占地面積，比TSOP6和SOT23-6小50%
低導(dǎo)通電阻
切換速度快

相關(guān)型號(hào)
ZXMN2AMC
ZXMN2B01F
ZXMN2B03E6
ZXMN2B14FH
ZXMN2F30FH
ZXMN2F34FH
ZXMN3A01E6
ZXMN3A01F
ZXMN3A01Z
ZXMN3A02X8
ZXMN3A03E6
ZXMN3A04DN8
ZXMN3A04K
ZXMN3A06DN8
ZXMN3A14F
ZXMN3A14FQ
ZXMN3AMC
ZXMN3B01F
ZXMN3B04N8
ZXMN3B14F
ZXMN3F30FH
ZXMN3F31DN8
ZXMN3G32DN8
ZXMN4A06G
ZXMN4A06GQ
ZXMN4A06K
ZXMN6A07F
ZXMN6A07Z
ZXMN6A08E6
ZXMN6A08E6Q
ZXMN6A08G
ZXMN6A08GQ
ZXMN6A08K
ZXMN6A09DN8
ZXMN6A09G
ZXMN6A09GQ
ZXMN6A09K
ZXMN6A11DN8
ZXMN6A11G
ZXMN6A11Z
ZXMN6A25DN8