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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXMS6001N3 60V N通道自保護(hù)增強(qiáng)模式 MOSFET 開關(guān)

型號: ZXMS6001N3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 ZXMS6001N3
  • 名稱 60V N通道自保護(hù)增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT223 (Type DN)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXMS6001N3 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXMS6001N3 適用于VIN=5V應(yīng)用的低輸入電流自保護(hù)低側(cè)MOSFET。單片過溫、過電流、過電壓(有源箝位)和ESD保護(hù)邏輯級功能。用作

通用開關(guān)。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    ZXMS6001N3
名稱                    60V N通道自保護(hù)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    SOT223 (Type DN)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Configuration Single
Polarity N
TAB Source
BVDSS (V) 60
ID VIN = 5V (A) 1.1
PD (W) 1.5
RDS(ON) Max @ VIN (3V) (mΩ) 2000
RDS(ON) Max @VIN (5V) (mΩ) 675
VDSVIN = 5V (S/C) (%) 36
EAS (mJ) 550
TJ (°C) 150


主要特征
低輸入電流
具有自動重啟功能的短路保護(hù)
過電壓保護(hù)(有源箝位)
帶自動重啟的熱關(guān)機(jī)
過電流保護(hù)
輸入保護(hù)(ESD)
負(fù)載轉(zhuǎn)儲保護(hù)(主動保護(hù)負(fù)載)


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