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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXMS6002G 60V N通道自保護增強模式 MOSFET 開關(guān)

型號: ZXMS6002G

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 ZXMS6002G
  • 名稱 60V N通道自保護增強模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT223 (Type DN)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXMS6002G

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXMS6002G 是一款自保護低側(cè) IntelliFET? MOSFET。它具有單片過熱、過流、過壓(有源鉗位)和 ESD 保護邏輯電平功能。它旨在作為通用開關(guān),具有狀態(tài)指示和可編程電流限制。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    ZXMS6002G
名稱                    60V N通道自保護增強模式 MOSFET
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    SOT223 (Type DN)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Configuration Single
Polarity N
TAB Drain
BVDSS (V) 60
ID VIN = 5V (A) 1.4
PD (W) 2.5
RDS(ON) Max @VIN (5V) (mΩ) 675
RDS(ON) Max @ VIN (10V) (mΩ) 500
VDSVIN = 5V (S/C) (%) 36
EAS (mJ) 550
TJ (°C) 150


主要特征
狀態(tài)引腳(模擬狀態(tài)指示)
邏輯電平輸入
具有自動重啟功能的短路保護
過壓保護(有源鉗位)
帶自動重啟功能的熱關(guān)斷
過流保護
輸入保護(ESD)
負載突降保護(主動保護負載)
高連續(xù)額定電流


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