產(chǎn)品簡介
DIODES 的 D12V0M1U2T 旨在取代低工作電壓至關重要的便攜式應用中的多層壓敏電阻 (MLV)。與 MLV 相比，它們具有卓越的電氣特性，例如更低的鉗位電壓和無器件退化。它們旨在保護敏感半導體元件免受靜電放電 (ESD)、閃電、電快速瞬變 (EFT) 和電纜放電事件 (CDE) 造成的損壞或干擾。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 D12V0M1U2T
名稱 1 通道單向 TVS
產(chǎn)地 臺灣
封裝 SOD523
產(chǎn)品參數(shù)
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Maximum Peak Pulse Current IPP @ 8x20±s Max 6
AEC Qualified Yes
Configuration Uni-Directional
Channel Input CapacitanceCT Typ(pF) 45 pF
Reverse Standoff Voltage VRWM(V) 12 V
Breakdown VoltageVBR Min(V) 14.2 V
Typ Reverse Leakage Current IR @ VRWM Max(μA) 0.05 μA
Maximum Clamping Voltage @ MaxPeak Pulse CurrentVC(V) 30 V
VESD IEC61000-4-2 Contact Discharge(kV) 30 kV
主要特征
提供符合 IEC 61000-4-2 標準的 ESD 保護：空氣 ±30kV，接觸 ±30kV
1路ESD保護
保護一根電源或 I/O 線
最大峰值脈沖功率：P PP = 180W，t p = 8/20μs
低鉗位電壓
相關型號
D12V0H1U2LP
D12V0H1U2LP1610
D12V0H1U2WS
D12V0H1U2WSQ
D12V0H2U3SO
D12V0HA1U2LP
D12V0HA1U2LPQ
D12V0HA1U2SLP
D12V0L1B2LP
D12V0M1U2LP3
D12V0M1U2S9
D12V0M1U2T
D12V0S1U2LP1608
D12V0S1U2LP1610
D12V0S1U2LP1610Q
D12V0S1U3LP20
D12V0X1B2CSP
D12V0X1B2LP
D12V0X1B2LPQ
D13AP2WF
D14V0H1U2LP
D14V0H1U2LP1610
D14V0H1U2WS
D14V0S1U2WS
D15V0H1U2LP
D15V0H1U2LP16
D15V0HA1U2LP
D15V0M1U2LP3
D15V0S1U2LP1608
D15V0S1U2LP1608A
D15V0S1U2LP1610
D15V0S1U2LP1610Q
