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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DXTN3C100PDQ 100V 雙NPN 低SAT 晶體管

型號(hào): DXTN3C100PDQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DXTN3C100PDQ
  • 名稱 100V 雙NPN 低SAT 晶體管
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI5060-8/SWP (Type UXD)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DXTN3C100PDQ  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DXTN3C100PDQ這款適用于汽車應(yīng)用需要具體的變更控制;這部分是AEC-Q101合格,具有PPAP能力,并在IATF16949中制造認(rèn)證設(shè)施。


產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    DXTN3C100PDQ
名稱                    100V 雙NPN 低SAT 晶體管
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    PowerDI5060-8/SWP (Type UXD)

 

產(chǎn)品參數(shù)
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN + NPN
VCEO, VCES (V) 100
IC (A) 3
ICM (A) 8
PD (W) 1.47
hFE (Min) 150
hFE (@ IC) (A) 0.5
hFE(Min 2) 20
hFE (@ IC2) (A) 2
VCE(sat) Max (mV) 150
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV) 330
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 3/300
fT (MHz) 140
RCE(sat) (mΩ) 150


主要特征
BV首席執(zhí)行官> 100V
I C = 3A 連續(xù)集電極電流
I CM = 8A 峰值脈沖電流
R CE(sat) = 90mΩ(典型值)
補(bǔ)充部件 DXTP3C100PDQ

 

相關(guān)型號(hào)
DSS60600MZ4Q
DSS60601MZ4Q
DXT2011P5Q
DXT5551P5Q
DXT651Q
DXT751Q
DXTC3C100PDQ
DXTN10060DFJBQ
DXTN10060DFJBWQ
DXTN3C100PDQ
DXTN3C100PSQ
DXTN3C60PSQ
DXTP03200BP5Q
DXTP07025BFGQ
DXTP07040CFGQ
DXTP07060BFGQ
DXTP07100BFGQ
DXTP22040CFGQ
DXTP22040DFGQ
DXTP3C100PDQ
DXTP3C100PSQ
DXTP3C60PSQ
DZT5551Q
DZTA42Q
FCX1053AQ
FCX458Q
FCX493Q
FCX558Q
FCX591AQ
FMMT38CQ
FMMT411FDBWQ
FMMT411Q
FMMT459Q
FMMT491Q
FMMT494Q
FMMT560Q
FMMT591Q
FMMT596Q
FMMT614Q
FMMT634Q
FMMTA92Q
FZT1053AQ
FZT603Q
FZT651Q
FZT653Q
FZT751Q
FZT855Q
MJD2873Q
MJD31CHQ
MJD31CUQ
MJD32CQ
MJD32CUQ
MJD41CQ
MJD42CQ
MMBT5551Q
MMBTH10Q
MMDT2222VQ
 

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