FHX35X 是一款超高電子遷移率晶體管

GaAs HEMT 晶體管

型號： FHX35X

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 FHX35X
名稱砷化鎵HEMT
產(chǎn)地日本
封裝 Chip

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的FHX35X是一種高電子遷移率晶體管（HEMT）用于一般用途，在2到18GHz頻率范圍。此設(shè)備非常適合電信、DBS、TVRO、VSAT或其他低噪聲應(yīng)用程序。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 FHX35X
名稱砷化鎵HEMT
產(chǎn)地日本
封裝 Chip

型號參數(shù)
低噪聲系數(shù)：1.2dB（典型值）@f=12GHz
高相關(guān)增益：10.0dB（典型值）@f=12GHz
Lg≤0.25um，Wg=280um
實現(xiàn)高可靠性的金門金屬化

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